Как стало известно, уже в конце мая компания Qualcomm запустит массовое производство нового высокопроизводительного чипсета Snapdragon 800, ориентированного на применение в ряде флагманских устройств, релиз которых должен состояться во второй половине текущего года.
Процессор Snapdragon 800 представляет собой новый шаг в развитии популярной линейки мобильных чипов от компании Qualcomm. В отличие от предшественника в лице Snapdragon 600, использующего процессорные ядра с архитектурой Krait 300, в Snapdragon 800 используется более совершенная микроархитектура Krait 400, при этом максимальная частота процессорных ядер сможет достигать 2,3 ГГц.
Кроме того, в Krait 400 имеется усовершенствованный интерфейс работы с памятью, обеспечивающий поддержку 2×32 LPDDR3 и более быстрый обмен с кэш-памятью уровня L2, а встроенное графическое ядро Adreno 330 обещает 50-процентный прирост в производительности по сравнению с Adreno 320.
Не лишней для девайсов на базе Snapdragon 800 станет и поддержка камер с разрешением до 55 Мпикс., высокоскоростного стандарта передачи данных 802.11ac, а использование более совершенного 28 нм HPm технологического процесса с применением High-K + Metal Gate позволит удержать уровень нагрева и энергопотребления нового чипа на приемлемом уровне.
«28 нм HPm технологического процесса с применением High-K + Metal Gate позволит удержать уровень нагрева и энергопотребления нового чипа на приемлемом уровне.» ну ну.. владею Nexus4 на снапдрагоне с4 про сделанный на 28нм. Уровень нагрева выше(доходит до 60 и выключается), чем у эксиноза на с3, который 32нм.
Сменить термопасту , радиатор , поставить дополнительный вентилятор. Шучу конечно же.