Samsung приступила к выпуску 20 нм чипов оперативной памяти для смартфонов объемом 3 Гбайт

lpddr3

Компания Samsung готовится начать новый этап в развитии подсистемы оперативной памяти смартфонов. На днях южнокорейский производитель объявил о начале массового производства LPDDR3 модулей объемом 3 Гбайт.

Конструктивно новые модули включают в себя шесть 20 нм чипов LPDDR3 с объемом 512 Мбайт каждый, что позволяет использовать их в двухканальном режиме, разделяя по 1,5 Гбайт на канал.

Ожидается, что первые смартфоны с оперативной памятью объемом 3 Гбайт будут представлены еще до конца текущего года. Не исключено, что одним из первых подобных устройств станет фаблет Galaxy Note 3, релиз которого состоится в первых числах сентября.

Добавить комментарий

Войти с помощью: 

Ваш e-mail не будет опубликован.