В Samsung создали высокоскоростные DDR4 модули для грядущих флагманских устройств

Samsung

В начале текущей недели компания Samsung доложила об успешном завершении разработки новых LPDDR4 чипов оперативной памяти (low power double data rate 4), ориентированных на применение в мобильных устройствах.

Особенностью новых DRAM стала ширина полосы пропускания в 8 гигабит, а также использование 20 нм норм технологического процесса, при этом на каждую микросхему приходится емкость в 1 Гбайт, что позволило установить новый рекорд в плотности размещения компонентов.

Благодаря применению технологии Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) данные по интерфейсу ввода-вывода смогут передаваться со скоростью 3200 Мбит/сек, что вдвое превышает скорость работы чипов LPDDR3 (20 нм). Более того производительность новых чипов окажется на 50 процентов выше, чем у DDR3, а потребление энергии при питании в 1,1 В сократится до 40 процентов.

По сведениям разработчиков из Samsung новые чипы смогут установить новую планку в уровне производительности и энергоэффективности. При этом производитель планирует объединять микросхемы в модули LPDDR4 суммарной емкостью 4 Гбайта, что позволяет надеяться на появление устройств с таким объемом оперативной памяти уже в будущем году.

Добавить комментарий

Войти с помощью: 

Ваш e-mail не будет опубликован.