После вчерашнего анонса от компании Samsung можно не сомневаться, что ближайшие топ-новинки от южнокорейского производителя, такие как Galaxy S IV или Note III, будут комплектоваться новыми высокоскоростными чипами памяти на 64 Гбайт, которые будут занимать на 20 процентов меньше места внутри устройств, чем современные встраиваемые чипы типа NAND flash.
Как стало известно, компания Samsung разработала новый тип чипов памяти стандарта eMMC, которые будут производиться с использованием 10 нм технологического процесса и обеспечивать уровень производительности на 30 процентов выше, чем у решений, используемых в современных смартфонах и планшетных ПК.
По словам представителей Samsung Electronics, «новая высокоскоростная и компактная память обеспечит лидерство компании в сфере производства памяти на ближайшие несколько лет».
Согласно сведениям разработчиков средние показатели производительность новых чипов при работе с операциями записи/чтения составляют 2000/5000 IOPS соответственно, тогда как предшествующие решения обеспечивали производительность на уровне 1500/3500 IOPS.